IPUH6N03LA G

Номер детали производителя	IPUH6N03LA G
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Упаковка	P-TO251-3-1
В наличии	5406 pcs
Техническая спецификация	IPD(F,S,U)H6N03LA G Part Number Guide Multiple Devices 04/Jun/2009

Справочная цена (В долларах США)

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5406 Infineon Technologies IPUH6N03LA G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	2V @ 30µA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	P-TO251-3-1
Серии	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	71W (Tc)
Упаковка /	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Упаковка	Tube
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Through Hole
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	2390 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	19 nC @ 5 V
Тип FET	N-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Базовый номер продукта	IPUH6N